پذیرفتاری اسپینی گرافین تک لایه تحت بر همکنش اسپین- مدار راشبا

ساختارهای گرافین تک لایه از جمله ساختارهایی می باشند که عرضی در حد یک اتم دارا هستند و در این ضخامت و حتی در ضخامت ها‎‎‎‎‎‎‎‎‎یی بالاتر از این حد بردار موج الکترونی در این راستا کاملا کوانتیزه بوده و بررسی دقیق این گونه از سیستم ها فقط در چارچوب مکانیک کوانتومی امکان پذیر می باشد. علاوه بر کوانتش بردار موج که مشخصه ی سیستم های نانومتری و مزوسکوپیک است. نوار انرژی گرافین نیز مشخصه ی بسیار مهمی از این سیستم است. شکل این نوار به گونه ای است که تحرک پذیری بسیار بالایی به حامل های این سیستم می بخشد که این ویژگی به محدودیت دو بعدی سیستم گرافین کاملا وابسته است. بنابراین با توجه به ابعاد و مدل های قابل استفاده در گرافین، این ماده رامی توان جزء نانوساختارها دانست. در میان خواص مشاهده شده در نانوساختارها، خواص مغناطیسی حامل های جریان اهمیت ویژه ای دارند کنترل این جریان وابسته به اسپین اهمیت به سزایی در علم اسپینترونیک دارد با توجه به تحرک پذیری بسیار بالای الکترون ها در گرافین، در صورتی که بتوان اسپین آنها را با برهمکنشی مانند راشبا کنترل نمود، گام مهمی در راستای علم اسپینترونیک و استفاده درجه آزادی اسپینی برای انتقال اطلاعات برداشته شده است. پایان نامه ی حاضر در راستای این هدف و امکان سنجی آن گام برمی دارد.